中标！打造国内最大的SiC功率半导体制造基地

近日

中建一局中标

武汉长飞第三代半导体功率器件生产项目

助力武汉打造

集成电路芯片和半导体产业高地

△项目效果图

项目位于武汉市东湖高新区

建筑总面积约25.15万平方米

建设内容包括厂房、综合楼等

建成后将打造从外延生长、器件设计

晶圆制造到模块封测的全产业链能力

预计年产6英寸碳化硅MOSFET及晶圆36万片

功率器件模块6100万个

广泛覆盖新能源汽车、光伏

储能、充电桩、电力电网等领域

△项目总平图

该项目是响应国家

“创新驱动发展战略”的重大举措

建成后将成为国内最大的

SiC功率半导体制造基地

推动长飞先进半导体成为

中国第三代半导体产业领头羊

助力武汉打造世界级化合物半导体产业高地

为高科技产业新升级贡献央企力量

（中建一局）