车用存储芯片NETSOL MRAM

  MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有SRAM的高速读取写入能力，以及DRAM的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。

  MRAM是汽车应用的理想选择存储芯片,MRAM具有快速且不易失的特点。实时监控的传感器数据可以实时写入，而不需要负载均衡或ECC开销。AEC-Q100 1级合格的MRAM将在发动机罩下应用中发现的延长温度（-40℃至125℃）下保留数据20年。意外断电不会影响数据完整性。

  英尚微提供的STT-MRAM。数据始终是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于简化系统设计。由于STT-MRAM的非易失性和几乎无限的续航特性，容量从1Mbit到16Mbit不等。是一个具有并行异步接口的完全随机存取存储器。支持x16或x8 I/O模式。采用工业标准44TSOP2、54TSOP2和48FBGA封装。

  英尚微提供的NETSOL MRAM涉及汽车应用。对于碰撞记录器，MRAM可以在事故发生时收集和存储更多数据，并帮助确定车辆事故或故障的原因。

  使用传感器的汽车应用可以受益于MRAM。由于传感器连续地写入数据，因此闪存难以保持这种数据流。新的安全气囊系统还具有传感器，用于检测和记录乘客的体重，与车辆上其他安全装置的相互作用以及碰撞的影响。