国产存储芯片取得重大突破，容量提升五成

国产存储芯片取得重大突破，容量提升五成

日前，国内某内存芯片企业宣布在DDR5内存上取得重大突破，这无疑是国产芯片的又一重大突破，将加速国产内存芯片取代进口芯片。

据悉，国产存储芯片中新型LPDDR5内存颗粒的容量和读取速度提高了50%，达到12GB、6400Mbps，功耗也降低了30%；针对服务器等产品的特殊需求，LPDDR5内存内置的新型纠错码等技术可以实时纠错，保证数据安全，提高稳定性。

存储芯片主要有NANDflash存储芯片和DDR存储芯片，这两类存储芯片国内企业均已研发成功并达到世界领先水平，其中NANDflash存储芯片去年率先量产，采用了世界上最先进的232层技术。

国产存储芯片技术水平的迅速提高，满足了手机、个人电脑和服务器对先进存储芯片的需求，国产LPDDR5存储器也迅速得到了多款国产手机的认可，并已通过测试，有望很快组装上市，供消费者使用。

存储器晶圆是国产晶圆中最重要的类型之一，国产晶圆已经取得突破，达到世界先进水平，这对国产晶圆来说非常重要，尤其是2016年诞生的国产存储器晶圆，仅用7年时间就达到世界先进水平，这证明中国有足够丰富的人才和技术，可以迅速缩短甚至达到世界晶圆技术水平。

存储芯片近年来也曾受到进口晶圆设备的影响，但两大存储芯片公司千方百计解决困难，利用现有晶圆设备获得先进的晶圆技术，令国外同行大为惊讶，中国晶圆产业的创新能力着实令人惊叹。

随着中国存储芯片的发展，世界存储芯片产业感受到了巨大的压力，因为中国是世界上最大的存储芯片市场，国产存储芯片在很大程度上替代了进口芯片，结果韩国的存储芯片出口一落千丈，美光旗下的美国存储芯片公司更是连续亏损，美光仅今年上半年就巨亏42亿美元。

这些年，中国芯片产业已经在很多类型的芯片上打破了空白，前段时间有手机企业表示，推出的5G手机已经有90%的芯片采用了国产芯片，存储芯片当然也是实现国产芯片替代的类型之一。

如今国产芯片替代率已经提高到30%以上，随着国产芯片替代的推进，我国芯片进口量稳步下降，今年前三季度我国芯片进口量同比减少14.6%，芯片进口额同比减少600多亿美元。

随着国产芯片的突飞猛进，美国芯片不仅大幅降价，还积极为中国市场定制相应的芯片，他们担心中国芯片的突飞猛进，会失去中国市场，就连此前态度强硬的美光也在前段时间派出高官访华，希望恢复与中国企业的合作，继续向中国销售存储芯片。

事实证明，只要中国芯片坚持自主创新，真正做到自主研发，国产芯片就有能力替代进口芯片，国外芯片就会迅速放弃阵地，降低售价，而不是还没上市就卖死卖贵，这将引导中国芯片继续加强自主研发，打破国外芯片的垄断。