英飞凌SiC可靠性白皮书解读
SiC MOSFET因其优良的性能，引起业界广泛关注。同时因其独特的材料特性及器件结构，SiC MOSFET的可靠性也是工程师的非常关心的问题。英飞凌2021年推出了3万字的白皮书，全面梳理了SiC MOSFET可靠性的问题（白皮书：英飞凌如何控制和保证基于 SiC 的功率半导体器件的可靠性）。下面的视频为英飞凌2021年SiC论坛视频回放，解读了英飞凌SiC可靠性白皮书的重点内容。
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