芯片制造巨头SK海力士计划升级中国半导体工厂

2024年1月15日，据报道，韩国芯片制造巨头SK海力士计划对其在中国的半导体工厂进行技术提升改造，以适应半导体市场的复苏和中国高性能半导体制造水平的提高。这一举措被解读为韩国芯片企业采取一切可能的手段，提高在华工厂的制造工艺水平。

根据韩媒的报道，SK海力士计划在2024年将其中国无锡工厂的部分动态随机存取存储器（DRAM）生产设备升级至第四代10纳米工艺。无锡工厂是SK海力士的核心生产基地，目前正在生产两款较旧的10纳米DRAM，产量约占公司DRAM总产量的40%。尽管美国自2019年起限制向中国出口制造尖端半导体所需的EUV光刻机，SK海力士认为在全球半导体市场复苏的背景下，提升高性能芯片产能已经刻不容缓。

SK海力士总裁郭鲁正在CES展会上表示：“我们自去年以来就地缘政治问题组建了内部工作组，相信企业风险由此得到很大程度的缓解。”这表明SK海力士对于在华工厂的技术升级充满信心，同时也反映了全球半导体市场的变化和中国半导体产业的迅速发展。

随着中国半导体产业水平的迅速提升，投资银行巴克莱的分析师指出，中国半导体制造商的实力比外界认为的要强大得多。瑞银集团的报告也强调，尽管美国正在采取各种方式阻止中国半导体的崛起，但中国克服这些限制的能力不容小觑。中国企业加强对主要半导体制造设备的采购，国际半导体设备生产商接到的来自中国的订单也呈激增趋势。

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