【半导体行业】半导体设备厂商主要工艺覆盖情况

1. 北方华创

Etch：形成对刻蚀工艺的全覆盖，具有对硅、深硅、金属、介质、化合物半导体等多种材料的刻蚀能力

PVD：高温AI、TaN、TTN等材料AL PAD、铝线、热铝等多种工艺

CVD：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃等薄膜沉积工艺

氧化扩散：集成电路、先进封装、电力电子(IGBT)、微机电(MEMS)、光伏电池制造氧化、扩散、退火、合金等工艺

2. 中微公司

CCP Etch：涵盖5纳米以下逻辑芯片、200层以上3D NAND存储芯片

ICP Etch：7纳米及以下逻辑芯片、17纳米及以下DRAM、3D NAND

LPCVD：先进逻辑、DRAM和3D NAND接触孔及钨线填充

ALD：3D NAND等三维器件结构中金属钨的填充、先进逻辑和存储器件中金属阻挡层和金属栅极

EPI：生长硅及锗硅

3. 拓荆科技

PECVD：集成电路逻辑芯片、存储芯片制造及先进封装等领域沉积SiO2、SiN、TEOS、SiON、FSG、BPSG、PSG等通用介质薄膜材料，以及LoK I、LOK II、ACHM、ADC I、HTN、a-Si等先进介质薄膜材料

ALD：逻辑芯片、存储制造及先进封装沉积高温、低温、高质量的SiO2、SiN等介质薄膜材料，集成电路逻辑芯片、存储芯片制造领域沉积AI203等金属化合物薄膜材料

SACVD：在集成电路逻辑芯片、存储芯片制造领域沉积SA TEOS、BPSG、SAF介质薄膜材料

HDPCVD：集成电路逻辑芯片、存储芯片制造领域SiO2、FSG、PSG等介质薄膜材料

混合键合设备：应用于晶圆级三维集成芯片制造领域，实现12吋晶圆对晶圆的混合键合和熔融键合

4. 盛美上海

清洗设备：单片、槽式、单片槽式组合、CO2超临界清洗、边缘和背面刷洗，广泛应用于先进逻辑、DRAM、3D NAND等集成电路制造

ECP：28-14nm及以下技术节点的IC前道铜互联镀铜技术，填充3D硅通孔TSV和2.5D转接板

立式炉：主要包括LPCVD、氧化炉、扩散炉和炉管ALD

Track：应用于300毫米前道集成电路制造工艺，支持包括i-line、KrF和ArF系统在内的各种光刻工艺

PECVD：设备配置了自主知识产权的腔体、气体分配装置和卡盘设计，能够提供更好的薄膜均匀性、更小的薄膜应力和更少的颗粒特性

5. 华海清科

CMP：满足集成电路、先进封装、大硅片制造工艺

清洗设备：应用于12英寸硅衬底的终端清洗、CMP后清洗、化合物半导体刷片清洗等

6. 芯源微

Track：前道晶圆加工环节28nm及以上工艺节点涂胶显影

7. 微导纳米

ALD：高介电常数栅氧层、MIM电容器绝缘层、TSV介质层及金属化等薄膜工艺

PECVD：根据不同温度要求制备氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等薄膜制备，为逻辑芯片、存储芯片、先进封装等提供客制化掩膜层、介质层、图案化等关键工艺解决方案

8. 万业企业

离子注入：实现28nm低能离子注入工艺全覆盖，完成国产高能粒子注入机产线验证及验收