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SK海力士将于2026年量产HBM内存芯片

近日,SK海力士透露了下一代HBM4内存芯片的消息。

SK海力士副总裁Chun-hwan Kim在SEMICON Korea 2024大会上表示,他们正计划于2026年之前实现HBM4内存芯片的量产,以满足生成式人工智能快速发展带来的巨大需求。生成式人工智能市场预计将以每年35%的速度增长。

根据目前的信息,HBM4内存芯片将采用2048位接口,理论峰值带宽可超过1.5TB/s。为了控制功耗,HBM4的数据传输速率预计保持在6GT/s左右。

2023年8月,SK海力士宣布推出HBM3E内存芯片,带宽可达1.15TB/s,向下兼容HBM3等标准,无需修改CPU、GPU设计等。

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  • 原文链接https://page.om.qq.com/page/ODeifSx2HqBcUunNVhYZVg_A0
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