三星电子与ASML韩国合建半导体研发中心 预计2027年引进High-NA EUV设备

观点网讯：2月5日，三星电子与荷兰光刻机巨头ASML宣布，双方将在韩国共同投资建设一座半导体先进制程研发中心，预计自2027年起引进High-NA极紫外光（EUV）设备。该研发中心的建立是为了推动High-NA EUV技术的发展，总投资金额达到1兆韩元。由于需要经过相关许可流程，研发中心最快将于2024年12月或2025年动工。

据悉，High-NA EUV技术是下一代半导体制程的关键，能够实现更高的集成度和性能。三星表示，目前High-NA EUV技术仍处于审查推出时机的阶段，未来将根据市场状况及客户需求来决定发展方向。此次合作将有助于提升双方在全球半导体产业的竞争力，推动半导体技术的进步。