超越光刻极限：ASML Hyper-NA EUV，引领2030年0.7nm工艺革新！

在半导体产业中，缩小晶体管的尺寸对于芯片性能的提升至关重要。当前，ASML的High-NA EUV微影曝光设备成为芯片制造商研究和应用的焦点，尤其在3纳米后制造节点的技术发展中。然而，ASML正加速发展Hyper-NA技术，并寻找未来芯片生产技术的新工具，这将在2030年左右开始应用，为半导体行业带来重要变革。

ASML的技术长Martin van den Brink在2023年年度报告中表示，具有NA值高于0.7的Hyper-NA微影曝光设备将成为芯片生产技术的发展机会，并且预计从2030年左右开始广泛应用。Hyper-NA技术被认为与逻辑芯片最为相关，同时相较于High-NA微影光设备，它将提供更为经济实惠的解决方案。对于ASML而言，Hyper-NA的推动力在于改善整体EUV发展平台，降低成本和缩短交货时间。

目前，ASML的EUV工具包括具有0.33 NA光学元件的标准EUV微影曝光机，可实现13.5 nm的临界尺寸。这已足够满足4/5纳米节点的生产需求。然而，随着行业对3纳米制程技术的需求，ASML引入了High-NA EUV微影曝光设备，其0.55 NA光学器件可以达到8纳米的临界尺寸，为小于3纳米的节点技术提供了有效解决方案。

随着晶体管的金属间距需求进一步缩小，尤其是将小于1纳米，晶圆制造商需要更为复杂的工具。这促使ASML研究并推进Hyper-NA EUV光刻曝光设备的发展。尽管该技术的可行性仍在研究中，但ASML已经着手解决可能涉及的成本问题。

Hyper-NA技术的引入涉及增加投影光学元件的数值孔径，这是一个成本高昂的决定，需要对微影曝光设备进行重大改变，包括机器的物理尺寸和开发许多新组件。据了解，ASML最新的High-NA EUV Twinscan EXE售价约为3.8亿美元。虽然标准数值孔径EUV Twinscan NXE售价为1.83亿美元，但Hyper-NA EUV的起步价格预计会更高。

ASML似乎已经取得一定的突破，解决了Hyper-NA EUV的成本和交付周期问题。Martin van den Brink表示，Hyper-NA技术将推动整体EUV平台，优化成本和交付周期。他认为，数字化将推动解决方案的变革，而ASML的EUV平台虽然需要大量能源，但通过技术创新，对减少温室气体排放做出了积极贡献。

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