三星电子发布旗下首款12层堆叠HBM3E DRAM

2月27日，三星电子发布旗下首款12层堆叠HBM3E DRAM—— HBM3E 12。目前已开始向客户提供HBM3E 12H样品，预计于今年下半年开始大规模量产。

根据公布的信息，三星HBM3E 12H支持全天候最高带宽达1280GB/s，产品容量达到了36GB，在带宽和容量上提升超过50%。

三星HBM3E 12H采用了热压非导电薄膜（TC NCF）技术，使得12层和8层堆叠产品的高度保持一致，以满足当前HBM封装的要求。而且三星的热压非导电薄膜（TC NCF）技术还通过允许在芯片之间使用不同尺寸的凸块（bump）改善HBM的热性能。

三星电子表示，相比HBM3 8H，HBM3E 12H搭载于人工智能应用后，预计人工智能训练平均速度可提升34%，同时推理服务用户数量也可增加超过11.5倍。