丢掉AI芯片大单急了？三星被曝将引入SK海力士的技术

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报道称，在AI芯片竞赛中落后的三星将引入竞争对手SK海力士的先进芯片制造技术。

三星计划在其最新的HBM芯片中同时使用NCF和MUF制造技术。

三星已经下达了用于MUF技术的芯片制造设备采购订单，但大规模投产或等到明年。

腾讯科技讯 3月13日消息，据国外媒体报道，援引多位知情人士透露，韩国三星电子公司宣布启动全新芯片制造计划，此举旨在借鉴竞争对手SK海力士的先进芯片制造技术，以在全球高端人工智能芯片生产竞赛中迎头赶上。

不过，三星电子方面回应称，关于其将在HBM芯片生产中应用MUF技术的传言并不属实。

随着生成式人工智能技术的迅猛发展，市场对高带宽存储（HBM）芯片的需求呈井喷之势。然而，与同行SK海力士和美光科技相比，三星在与人工智能芯片巨头英伟达的交易中却缺席了。如今，三星决定另辟蹊径，开启新工艺，以满足市场对最新HBM芯片的迫切需求。

业内分析人士和观察家们普遍认为，三星电子在这场竞争中之所以落后，很大程度上源于其坚持采用非导电薄膜（NCF）芯片制造技术，这项技术曾一度引发生产问题。相比之下，SK海力士则明智地转向批量回流模制底部填充（MR-MUF）方法，有效解决了NCF技术的弊端。

然而，据三名知情人士透露，三星最近已下达采购订单，采购用于MUF技术的芯片制造设备。他们表示：“三星必须采取果断措施，提高HBM芯片的产量。对于三星而言，采用MUF技术无疑是一种屈辱，因为它最终走上了SK海力士最初选择的道路。”

据多位行业分析师认为，三星电子在HBM3芯片生产上的良率表现并不理想，仅维持在10-20%的水平。相比之下，其竞争对手SK海力士的HBM3良率高达60-70%。

HBM3和HBM3E，作为HBM芯片的最新迭代版本，正逐渐成为市场的宠儿。它们与核心微处理器芯片的紧密结合，为生成式人工智能处理海量数据提供了强有力的支持。

据知情人士透露，三星正在积极与材料制造商展开谈判，其中包括日本的Nagase等公司，旨在获取MUF材料的稳定供应。然而，尽管三星已经下达了用于MUF技术的芯片制造设备采购订单，但由于需要进行更多的测试和优化，使用MUF技术大规模生产高端芯片最早可能要到明年才能准备就绪。

值得注意的是，三星计划在其最新的HBM芯片中同时使用NCF和MUF技术。尽管三星表示其内部开发的NCF技术是HBM产品的“最佳解决方案”，并将用于新的HBM3E芯片，但显然，三星也意识到了MUF技术在提高良率和性能方面的潜力。

三星使用MUF技术的计划，无疑是其在人工智能芯片竞争中迎头赶上的重要举措。根据研究公司TrendForce的数据，受人工智能相关需求的推动，HBM芯片市场今年预计将实现翻倍增长，市场规模将达到近90亿美元。

KB Securities资深分析师杰夫·金（Jeff Kim）近日预测，SK海力士今年在供应英伟达所需的HBM3及更高级HBM产品上的市场份额将突破80%。与此同时，美光科技也在上个月高调进军高带宽存储芯片领域，宣布其最新研发的HBM3E芯片已获英伟达青睐，将为后者的H200 Tensor芯片提供强大动力，这款芯片预计将于今年第二季度开始发货。

然而，据内部知情人士透露，三星的HBM3系列产品尚未通过英伟达的供货资格认证。

三星的这一挫折也引起了投资者的密切关注。今年以来，三星的股价已累计下跌7%，不仅落后于竞争对手SK海力士的17%涨幅，也未能赶上美光的14%增幅。（编译/金鹿）