SK海力士副总裁：HBM将发挥超出内存的作用

据韩媒《BusinessKorea》报道，SK海力士HBM产品创新副总裁Kwon Eon-oh近日表示，「下一代 HBM 不仅必须在功能上表现出色，而且还需要演进为这种形式可以发挥超出内存的作用，为每个客户提供量身定制的差异化专业功能。」

Kwon预测：「人工智能 (AI) 的未来类型存储器将扩展到当前数据中心类型之外，包括专用集成电路形式，这些形式是为特定目的量身定制的，具有更高的性能和效率，以及设备上的存储器针对客户产品优化的形式。」

他继续说道：「不仅仅是 HBM，各种类型的DRAM都将被用作人工智能的存储器，因此需要开发专门用于超越传统特性的各种条件的设备。在这个快速变革的时代，我们需要拓宽视野，融合多种技术，产生协同效应。」

Kwon是DRAM领域的专家，于2022年将全球首创的下一代工艺High-K Metal Gate (HKMG)引入到移动DRAM、LPDDR中，提高了速度并降低了功耗消耗。去年，他晋升为高管，承担起完成SK海力士HBM技术路线图的重任。