HBM3e 今年将成主流，产能挤占将导致下半年 DRAM 供不应求

IT之家 5 月 21 日消息，业内消息称三星、SK 海力士和美光都在积极投资高带宽内存（HBM），而由于产能挤占效应，下半年 DRAM 产品可能会面临短缺。

集邦咨询在报告中认为，三大 DRAM 供应商正在增加先进工艺的晶圆投入。随着存储器合同价格的上涨，各公司都加大了资本投资力度，今年下半年将重点扩大产能，预计到今年年底，1α nm 及以上工艺的晶圆投入量将占 DRAM 晶圆总投入量的约 40%。

由于 HBM 的盈利能力和不断增长的需求，厂商优先考虑生产 HBM，HBM3e 将成为今年的市场主流，出货量将集中在下半年。

由于 HBM3e 的出货量预计将集中在下半年，恰逢内存需求旺季，市场对 DDR5 和 LPDDR5 (X) 的需求预计也将增加。

由于分配给 HBM 生产的晶圆投入比例较高，先进工艺的产出将受到限制。因此，下半年的产能分配将是决定供应能否满足需求的关键。

IT之家简要汇总下厂商情况如下：三星预计现有设施将于 2024 年底全部满负荷运转，新的 P4L 工厂预计将于 2025 年竣工，而 15 号生产线工厂将从 1Y 纳米过渡到 1beta 纳米及以上的工艺。

SK 海力士计划明年扩大 M16 工厂的产能，而 M15X 工厂也计划于 2025 年竣工，并于明年年底开始量产。

各主要制造商都将投资 HBM4 的开发，在产能规划中优先考虑 HBM。因此，由于产能拥挤效应，DRAM 供应可能会出现短缺。