曝三星HBM3芯片因发热严重未通过英伟达测试

据知情人士报道，由于发热严重和功耗问题，三星电子最新研发的高带宽内存（HBM）芯片在英伟达的测试中未能达标，因此无法被用于英伟达的AI处理器。这些问题影响了三星的HBM3芯片，这是目前用于人工智能图形处理单元（GPU）的第四代HBM标准。

三星在发给路透社的一份声明中表示，HBM是一种定制内存产品，需要根据客户的需求进行优化，并称正在与客户密切合作，优化产品。不过，英伟达方面对此并未置评。

资料显示，HBM3具有更高的带宽和更低的延迟，由于HBM3芯片堆叠在一起，通过短距离、高密度的互连通道进行数据传输，带宽可以达到数百 GB/s 的级别。HBM3为加快内存和处理器之间的数据移动打开了大门，降低了发送和接收信号所需的功率，并提高了需要高数据吞吐量的系统性能。

不过，实现这一切都不容易，制造这项技术和充分利用它都将面临重大挑战，最大挑战就是发热控制，HBM结构会积聚许多热量，而DRAM与GPU封装在一起会加剧这种情况的发生，这就对散热冷却提出了更多的挑战，迫使制造者需要在时延与散热之间做出抉择，很显然，无论哪一种选择，都将从另一角度上推高总成本。

值得注意的是，英伟达在全球AI应用GPU市场中占据了约80%的份额，被视为HBM制造商业务增长的关键。因此，三星未能通过英伟达的测试，可能会对其在HBM领域的市场地位产生一定影响。同时，这也引发了业界和投资者对三星在HBM领域是否能赶上竞争对手的担忧。

针对三星电子HBM芯片因发热和功耗问题未通过英伟达测试的情况，液冷技术可以作为一种潜在的解决方案来降低芯片的温度和功耗。液冷技术通过液体作为冷却介质，利用液体的高热容和高热传导性能，可以有效地将芯片产生的热量带走，从而降低芯片的温度。