SiC功率模块绝缘失效根因分析

SiC功率模块

绝缘失效根因分析

失效分析案例

背景介绍

某SiC 器件在HV-H3TRB 测试时出现绝缘失效。

失效分析手段

以下为Zestron R&S分析结果节选

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光学显微镜下的失效图片

图1：开封后的SiC 器件

图2：失效区域局部放大图

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C3局部离子污染测试结果

图3：NG批次的离子污染检测结果

图4：OK批次的离子污染检测结果

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IC离子色谱测试结果

NG批次和OK批次样品测试结果对比表

分析结论

通过ZESTRON R&S开展的综合分析和累积多年的成功经验，确认NG批次样品在封装前存在较高水平的污染，降低了环氧树脂模封与基板/芯片之间的结合；在HV-H3TRB测试条件下, 当潮湿充分渗透模封料之后，离子型污染物在模封结合薄弱区域形成漏电通路，在高压条件下发生击穿导致绝缘失效。