IT之家 7 月 16 日消息,韩媒 The Elec 报道,韩国半导体公司周星工程(Jusung Engineering)最新研发出原子层沉积(ALD)技术,可以在生产先进工艺芯片中降低极紫外光刻(EUV)工艺步骤需求。
IT之家注:极紫外光刻(EUV)又称作超紫外线平版印刷术,是一种使用极紫外光波长的光刻技术,目前用于 7 纳米以下的先进制程,于 2020 年得到广泛应用。
周星工程董事长 Chul Joo Hwang 表示当前 DRAM 和逻辑芯片的扩展已达到极限,因此需要像 NAND 一样,通过堆叠晶体管的方式克服这个问题。
半导体行业如果想要把晶体管微缩到更小尺寸,一种方案就是堆叠晶体管,其中一个佐证是深紫外线(DUV)设备有望用于生产 3D DRAM。
Hwang 说,随着堆叠变得越来越重要,ALD 机器的需求也将增加。III-V 和 IGZO 半导体的生产也需要 ALD 设备。
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