底蕴深厚！英诺赛科推动全球功率半导体行业持续变革

氮化镓（GaN）作为最新一代半导体材料，因其卓越性能备受市场关注，且在多个领域得到广泛应用。相较于传统的硅及其他半导体材料，氮化镓具备高频、高电子迁移率、强抗辐射能力、低导通电阻及无反向恢复损耗等明显优势。这些特性使氮化镓功率半导体芯片在降低电源能耗、提升能源转换效率、降低成本及实现设备小型化方面发挥关键作用。随着下游应用领域的持续发展，氮化镓功率半导体正面临前所未有的增长机会。

英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（简称：英诺赛科）作为行业的佼佼者，在创始人骆薇薇博士的带领下，始终站在功率半导体革命前沿，引领着氮化镓功率半导体行业的创新与发展。

相关资料显示，英诺赛科是全球首家成功量产8英寸硅基氮化镓晶圆的企业，更是全球唯一一家能提供全电压谱系硅基氮化镓半导体产品的公司。据弗若斯特沙利文数据显示，英诺赛科在2023年全球氮化镓功率半导体公司收入排名中位居榜首，彰显其行业领先地位。

在产业布局方面，英诺赛科在珠海和苏州拥有两座先进的8英寸GaN-on-Si晶圆生产基地，采用顶尖工艺和设备确保产品高品质与高效率。同时，公司在硅谷、首尔、比利时等地设立子公司以拓展国际市场及加强合作。

英诺赛科的成功得益于其强大的核心团队，公司拥有一支由资深专家组成的团队，如产品应用部副总经理陈钰林，他毕业于中国河北工程大学获电机工程及其自动化专业，学士学位，在功率半导体及电源行业拥有丰富工作经验，是第三代半导体氮化镓在中国最早的市场开拓者之一，为公司的快速发展注入了强大动力。

随着科技进步和下游应用领域的拓展，氮化镓功率半导体市场将迎来更广阔的发展空间。作为功率半导体领域的领跑者，英诺赛科将继续秉承创新精神，加大研发投入，拓展产品应用领域，推动全球功率半导体行业的持续变革与发展。