三星电子加强DRAM生产

三星电子已开始量产，向Nvidia供应第四代HBM3。

为了补充因HBM供应而短缺的通用DRAM供应，平泽第4工厂（P4）将转变为仅生产DRAM的生产线。

据悉，这是三星电子首次向Nvidia供应HBM3。

从此次量产开始，三星电子有望缩小与HBM领先者SK海力士的差距。

三星电子也正在进行8层HBM3E质量测试。

预计将在第三季度通过测试，正式进入NVIDIA供应链。

在这种氛围下，三星电子正在华城和平泽的业务基地扩大HBM产能。

还正在考虑进一步扩建用于HBM的DRAM垂直组合封装设施。

外界担心三星电子在将现有DRAM生产线转换为HBM生产线时，将无法及时响应通用DRAM的需求，因此制定了P4生产DRAM的计划。

P4工厂有两层结构。此前，这里的一楼原本应该分为NAND和晶圆代工线，但计划发生了变化，专门用于DRAM设施。

P4已经拥有能够每月生产10,000颗的第9代NAND闪存设施，但没有进行额外的设施投资。

制造部门决定不再投资平泽的新设施。

预计P4代工安装的DRAM设备将从明年上半年开始引入。