美光第九代276层TLC NAND闪存量产
7月30日，美光官宣——旗下第九代276层TLC NAND闪存量产。
根据公布的信息，美光第九代276层TLC NAND闪存采用了11.5mm×13.5mm的紧凑封装规格，密度提升了至高 73%。
美光表示，美光第九代276层TLC NAND闪存拥有业界最高的3600MT/s的I/O传输速率。在写入带宽和读取带宽方面比市场上的其他解决方案分别高出99%和88%。
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