三星HBM3E芯片通过英伟达测试，预计四季度开始供货；同时正式量产最薄LPDDR5X内存！

8月7日，有消息称，三星电子的第五代高频宽记忆体芯片HBM3E已经通过英伟达（Nvidia）测试，可用于英伟达的AI处理器上。

取得这一资格，为三星电子扫清一个重大障碍。在供应能够处理生成式AI任务的高端内存方面，三星一直在努力追赶韩国同行SK海力士。

此外，消息人士称，三星和英伟达尚未签署已获批准的八层HBM3E芯片的供应协议，但将很快签署，并预计供应将于2024年第四季度开始。

不过，消息人士称，这家韩国科技巨头的12层HBM3E芯片尚未通过英伟达的测试。

对此，三星和英伟达均拒绝置评。

HBM是一种动态随机存取存储或DRAM标准，于2013年首次推出，其中的芯片采用垂直堆叠方式，以节省空间并降低功耗。HBM是 AI 图形处理单元 (GPU) 的关键组件，可帮助处理复杂应用程序产生的大量数据。

研究公司 TrendForce 表示，HBM3E 芯片很可能成为今年市场上的主流 HBM 产品，出货量将集中在下半年。SK海力士估计，到2027年，HBM 内存芯片的总体需求可能以每年82%的速度增长。

三星7月份预测，到第四季度，HBM3E芯片将占其HBM芯片销量的60%，许多分析师表示，如果其最新的HBM 芯片能在第三季度前通过英伟达的最终批准，这一目标就可以实现。

三星并未公布具体芯片产品的收入明细。根据对15位分析师的调查显示，今年上半年三星 DRAM 芯片总收入预计为22.5万亿韩元（约合164亿美元），部分分析师表示其中约10%可能来自HBM销售。

三星电子6日表示，公司已开始量产业内最薄的12纳米级低功耗双倍数据速率动态随机存储器5X内存（LPDDR5X DRAM），其封装厚度仅为0.65毫米，可支持12GB和16GB容量。

LPDDR5X采用12纳米级工艺，四层堆叠结构，并优化了印刷电路板（PCB）和环氧树脂模塑料（EMC）工艺。相较于上一代产品，其厚度降低约9%，耐热性能提升约21.2%。此外，公司还通过最优化封装后搭接（Back-lap）工艺减薄产品，实现了业内最薄的封装厚度。

LPDDR5X封装变薄有助于实现终端的轻薄设计，实现终端内部稳定的热管理，将因发热而导致的速度和画面亮度等设备性能受阻降至最低。除移动设备外，LPDDR应用范围已扩展至AI加速器、计算机等多种用户数据生成设备，成为核心存储器不可或缺的组成部分。

三星计划向移动处理器生产商和移动设备制造商供应0.65毫米LPDDR5X DRAM芯片，进一步拓展低功耗DRAM市场。公司还将加大力度拓展LPDDR5X产品阵容，研发6层24GB和8层32GB模块等更紧凑的封装。