三星8层HBM3E芯片通过英伟达测试 AI硬件性能有望得到升级

【太平洋科技快讯】近日有消息称三星电子的第五代8层HBM3E存储芯片已成功通过英伟达的测试，将为处理生成式AI工作提供高级内存解决方案，这一成就是三星在全球内存芯片市场上的重大突破，此前该公司在高级内存芯片供应方面落后于本土竞争对手SK海力士。

HBM(High Bandwidth Memory高带宽存储器)是一种高效的动态随机存取内存(DRAM)标准，自2013年问世以来，一直为AI图形处理器(GPU)提供关键支持，用于处理复杂应用程序产生的海量数据，目前HBM市场的主要制造商包括SK海力士、美光和三星。

尽管三星和英伟达尚未正式签署供应协议，但双方预计将很快达成协议，预计8层HBM3E芯片将在2024年第四季度开始供应，但三星的12层HBM3E芯片版本目前尚未通过英伟达的测试。

TrendForce预测，HBM3E芯片可能成为今年市场上的主流产品，需求集中在下半年。SK海力士预计，到2027年，HBM内存芯片的需求将以每年82%的速度增长，而三星预计，到今年第四季度，HBM3E芯片将占其HBM芯片销量的60%。

在HBM市场，SK海力士一直是英伟达的主要HBM芯片供应商，而美光也计划向英伟达供应HBM3E芯片，此次三星8层HBM3E芯片通过英伟达测试，将进一步加剧市场的竞争。