碳化硅外延层瑕疵常见12个缺陷及原因
半导体SiC外延层缺陷主要有晶体缺陷和表面形貌缺陷，一旦形成缺陷就大大提高半导体材料不良率并引起不良反应，如：小坑缺陷可能引起器件漏电流增大,影响SiC金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)栅氧可靠性。深圳荧鸿半导体缺陷检测灯SL8500可用于半导体外延片的缺陷瑕疵检测，详情咨询0755-89233889。以下为整理的SiC外延层常见的缺陷及行成原因，仅供参考：
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