IBE可以用来刻蚀铜吗？

知识星球里的学员问：ibe能刻蚀铜吗？刻蚀速率大概有多少？

 什么是IBE？

 IBE(Ion Beam Etching)，离子束刻蚀。又有人把他叫做离子束铣削（Ion Beam Milling），原理是Ar离子从离子源加速撞击晶圆表面，会将材料表面的原子直接从晶格中撞出，以去除材料。离子束铣削的优点是它具有很好的各向异性，从而在蚀刻过程中将底层材料的底切降至最低。

 IBE可以用来刻蚀铜吗？

可以，IBE可以用来刻蚀用RIE难以去除的材料，一般以金属居多。此类材料多应用于从 MEMS 到 RF 滤波器再到存储器等各种芯片产品。“难去除”的材料包括贵金属（如金和铂）、压电材料（PZT（锆钛酸铅）、LiNbO3（铌酸锂）和 AlScN（氮化铝钪），或用于 MRAM 和 STT-MRAM的材料（如 Al 2 O 3 、Ni、Fe、Cr、Co、Cu、Mn 和 Pd 等）。

IBE的刻蚀速率？

 根据离子束的能量、束流强度、入射角度、材质的硬度的不同，刻蚀的速率也会不同。下表是我做实验时用某款IBE整理出的部分数据，供大家参考。

如上图：Cu的刻蚀速率大概在50nm/min。

   欢迎加入我的半导体制造知识星球社区，目前社区有1900人左右。在这里会针对学员问题答疑解惑，上千个半导体行业资料共享，内容比文章丰富很多很多，适合快速提升半导体制造能力.