晶圆减薄与划片的顺序是什么样的？

知识星球（星球名：芯片制造与封测技术社区，星球号：63559049）里的学员问：DBG是一种新颖的工艺，即先将晶圆正面半切，再将晶圆背面减薄。那么传统的，普遍的减薄与划片的工艺顺序是什么样子呢？

前几期的文章中，对DBG工艺做了介绍，见文章：

Disco公司的DBG工艺详解

较为普遍的划片切割方式？

如上图，是常见的划片切割方式，即先将晶圆背面减薄，再将硅片进行划片。

1. Tape Laminator（贴膜）：

在晶圆的正面附上保护膜（BG Tape）这层膜有助于保护晶圆表面的芯片在背面减薄与cmp工序中免受损伤。

2. Rough Grinding（粗磨）：

使用粗磨设备对晶圆背面进行初步磨削，去除较大的厚度。粗磨阶段的目的是快速降低晶圆厚度，通常会去除大部分的材料，但表面粗糙度相对较高。

3. Fine-or Poligrinding（精磨）：

在粗磨之后，进行精磨或抛光磨削，以进一步减少晶圆厚度，并改善表面粗糙度。这一步能够去除粗磨留下的表面缺陷，达到更平滑的表面。

4.CMP（化学机械抛光）：

化学机械抛光，以去除晶圆背面剩余的应力，确保晶圆在后续工艺中不会因应力而破裂。此步骤的目的是进一步提高表面质量，确保晶圆的平整度和结构稳定性。

5. Frame Mounting（背面贴切割膜）：

将晶圆贴到到具有切割薄膜的框架上。框架上的切割薄膜将芯片牢牢固定，防止切割时芯片掉落。

6. BG Tape Peeling（除去晶圆正面的BG膜）：

去除最初贴在晶圆正面的保护膜，露出晶圆的正面，以便于划片工序的进行。

7. Dicing Saw（切割）：

使用划片机（Dicing Saw）对晶圆进行划片，沿着切割道将晶圆分割成单个芯片。

该减薄划片的方式的缺点？

当将晶圆减到较薄厚度时，在进行划片的过程中极易出现芯片崩边等问题，因此需要改用其他的划片切割方式，如DBG工艺，Taiko工艺，激光工艺等。