重大突破！国产光刻胶诞生摆脱日本光刻胶的依赖

近期，华中科技大学武汉光电国家研究中心团队于国内率先突破光刻胶原料与配方，其 T150A 光刻胶系列产品通过半导体工艺量产验证，实现原料国产化与配方自主设计，有望开启国内半导体光刻制造新篇。

光刻胶是芯片制造光刻关键感光材料，原理类同照相机胶卷曝光。因国外企业对光刻胶原料和配方保密，我国九成以上光刻胶依赖进口。

该团队研发的半导体专用光刻胶可与国际头部企业主流 KrF 光刻胶系列比肩，T150A 极限分辨率达 120nm，较国外同系列产品工艺宽容度大、稳定性高、留膜率优，刻蚀工艺中密集图形下层介质侧壁垂直度表现佳。

团队负责人称，从光刻技术分子基础研究与原材料开发起步获自主配方技术，后续还将研发多场景适用的 KrF 与 ArF 光刻胶，突破国外技术封锁，助力国内产业发展。