长鑫存储向高端芯片生产前近，三星西安工厂升级286层NAND闪存工艺保障在华成熟芯片市场份额

长鑫存储向高端芯片生产前近，三星西安工厂升级286层NAND闪存工艺保障在华成熟芯片市场份额。据韩国经济新闻报道，继DRAM之后长鑫存储（CXMT）有望进军技术门槛更高的高带宽存储器（HBM）市场，这一动向让韩国存储芯片双雄三星电子与 SK海力士倍感压力。根据市场研究机构前瞻产业研究院的数据，2020年中国国产DRAM在全球市场的占有率仍为0%，截至2024年已上升至 5%。过去，韩国半导体业内普遍认为中国企业要实现DRAM量产至少需要10年以上，但现实发展速度已远超预期。长鑫存储近期不仅在DDR4 DRAM领域站稳脚跟，还在DDR5研发上取得突破。市场调查机构TechInsights指出，长鑫存储生产的DDR5 DRAM关键制程线宽已接近三星电子和SK海力士，表明中韩两国企业在技术层面的差距正迅速缩小。早在2016年，三星电子和SK海力士就已开始量产HBM2。据韩国专家表示，长鑫存储还在力HBM2进行设备投资，时间上落后近10年。

两家公司在DDR4 DRAM市场受到中国企业物美价廉的冲击。韩国KAIST（韩国科学技术院）电气电子工程系特聘教授柳会峻表示：“中国企业已经具备在三星、SK海力士推出新产品1年左右就能开发出样品的能力，但在大规模量产方面仍可能面临技术障碍。他还说在标准化存储芯片市场，中国企业凭借成本和产能优势，韩国企业很难与之展开价格战，因此必须转变业务模式，拓展产品组合，以保持竞争力。他建议三星和SK海力士应聚焦于内存内处理（PIM）、计算快速链接（CXL）等定制化存储技术，以此寻找突破口。

他进一步解释道：“PIM本质上是‘定制化DRAM’，需要与客户建立紧密的合作伙伴关系，同时与工艺技术深度结合，而这正是韩国企业的优势所在。目前全球半导体市场正掀起人工智能（AI）热潮，韩国存储厂商可以通过PIM等定制化存储产品，在AI终端设备市场开拓新的增长机会。三星还在韩国国内扩展先进NAND工艺，并自2024年下半年起把400层（V10）NAND应用于平泽P1工厂量产线。三星电子表示，计划加速向236层和286层NAND的过渡，以确保长期的产品竞争力。韩国经济新闻报道三星电子正在升级中国西安工厂工艺至286层（V9）NAND闪存。自2023年以来，三星一直在推动西安工厂的主流128层（V6）NAND工艺过渡至236层（V8）生产线，并决定进一步安装V9生产线。三星计划在今年上半年引进新设备，并在下半年建立一条每月产能为2000至5000片晶圆的生产线。西安工厂是三星唯一的海外存储芯片生产基地，对全球供应链至关重要，约占三星NAND总产量的40%。升级至286层NAND工艺预计能显著提高该工厂的生产能力。美国拜登政府授予三星“经过验证的最终用户（VEU）”许可，三星得以能够在中国生产超过200层的NAND，继续使用先进的制造工艺。但三星预计今年第一季度每月产能为42万个NAND单元，较上一季度减少25%。人工智能（AI）数据中心等行业的需求不断增长，促使三星等半导体公司更专注于高性能、高容量的NAND生产。