美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室开发大孔径铥激光器 改善EUV光刻技术

美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL）宣布，他们开发了一种名为大孔径铥（BAT）激光器，旨在为极紫外（EUV）光刻技术的未来发展奠定基础。这款新激光器被宣称效率是目前ASML EUV光刻机中使用的二氧化碳（CO2）激光器的10倍，并且有望在未来数年取代目前光刻系统中的CO2激光器。

劳伦斯利弗莫尔国家实验室多年来一直在尖端激光、光学和等离子体物理学领域取得重要研究成果，为制造先进微处理器提供了关键支持。这些微处理器推动了人工智能、高性能超级计算机和智能手机等领域的创新发展。

新的BAT激光器技术有望将EUV光源效率提高约10倍，为新一代“beyond EUV”光刻系统的发展提供动力，这些系统可以更快地生产芯片，同时功耗更低。但要将BAT技术应用于半导体生产，需要进行重大基础设施变更，因此还需要时间来观察实际应用效果。

当前EUV光刻系统面临的关键问题之一是高功率消耗，其背后原因在于需要使用高能激光脉冲来产生EUV光线。ASML的光源分为二氧化碳激光器和对锡液滴进行加热的系统，需要巨大的能源消耗。劳伦斯利弗莫尔国家实验室的BAT激光器被设计为能提供更高效率的EUV光源。

新的BAT激光器系统在2微米波长下工作，与现有的CO2激光器系统有所不同。该系统使用二极管泵浦固态技术，可提供更好的电气效率和热管理，进一步改进了EUV光刻系统整体性能。

劳伦斯利弗莫尔国家实验室的BAT激光器技术将对光刻技术的发展产生深远影响，提高了EUV光源的效率和整体性能。这一技术进步有望在将来推动半导体行业的发展，并为新一代芯片生产提供更好的解决方案。