中国存储芯片的崛起:从零到全球竞争的十年征程
在芯片领域,存储芯片无疑是重中之重,占据了整个芯片市场的三分之一左右。数据显示,2024年全球芯片市场规模预计将达到6500亿美元,其中存储芯片的市场份额高达2200亿美元,足见其重要性。存储芯片主要分为两大类:DRAM(包括HBM芯片)和NAND,这两者合计占据了存储芯片市场的95%以上。
2017年以前,中国在DRAM和NAND芯片领域几乎完全依赖进口,国内生产能力几乎为零。然而,2017年成为中国存储芯片发展的转折点。长江存储成功研发出中国首款NAND闪存芯片,长鑫存储也推出了首款自研DRAM芯片。从那时起,短短七八年间,中国存储芯片产业实现了从无到有的跨越式发展。
相比之下,三星、美光等国际存储芯片巨头已经在这一领域深耕数十年,无论是产能还是技术,中国企业与之相比仍有较大差距。然而,正是这种差距激发了中国企业的拼搏精神。长江存储专注于3D NAND闪存技术的研发,产品迭代速度惊人,从64层一路突破到128层,最终成为全球首个推出232层3D NAND闪存的厂商。这一成就甚至让美国感到威胁,将其列入实体清单,限制其获取先进设备。
尽管面临外部压力,长江存储并未止步,而是逐步转向国产设备的替代。近期有消息称,三星甚至与长江存储达成专利合作,计划采用其混合键合技术。换句话来说,这中国的技术实力已经得到了国际的认可。
长鑫存储则在DRAM领域取得了显著进展,其DDR5内存已实现量产,技术水平与国际巨头逐渐接近。其最新产品已采用16nm先进工艺,并正在研发15nm的下一代技术,计划在2025年前实现突破。
据外媒报道,中国存储芯片厂商目前已经能够满足国内三分之一的需求。预计到2026年,中国存储芯片的自给率将达到50%,大幅减少对进口的依赖。
总的来说,尽管中国存储芯片产业起步较晚,与韩国、美国企业相比仍有差距,但在短短十年间取得的进步令人瞩目。如果其他芯片领域也能借鉴存储芯片的拼搏精神,中国芯片产业全面摆脱对外依赖将只是时间问题。对此,你怎么看?中国芯片的未来,值得我们共同期待。
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