硅电容选型参数详解

容值（Capacitance）

    容值，简称C。根据电路设计和功能需求，确定所需的电容值。

    硅电容通常用于高频电路，因此要考虑其在工作频率下的实际电容值。

容差（Capacitance tolerance）

    容差，简称ΔCp。根据应用需求选择合适的电容容差。

    容差表示电容值的变化范围，容差越小，电容值的准确性越高。

工作温度范围（Operating Temperature Range）

    工作温度范围，简称Top 。确定电容能够在电路工作环境温度下正常工作的范围。

    选择满足电路最高和最低温度要求的硅电容。

存储温度范围（Storage temperature Range）

    存储温度范围，简称Tstg。为电容不上电情况下存储的环境温度范围。一般该范围大于工作温度范围。

容值温度偏差（Capacitance temperature variation）

    容值温度偏差，简称ΔCt 。该值表征电容值随着温度变化而变化的大小。其单位为PPM/K或PPM/℃。

额定电压（Rated voltage）

    额定电压，简称RVdc。额定电压时电容正常工作室两端最大的直流电压。选择电容的额定电压应大于或等于电路中的最大工作电压。

    考虑安全裕量和可能的过压条件。

击穿电压（Breakdown voltage）

    击穿电压，简称BR。击穿电压是电容能承受的最大直流电压。

容值电压偏移（DC Capacitance voltage variation）

    容值电压偏移，简称ΔCrvdc。容值电压偏移表征的是电容值值随着电容两端直流电压而变化的大小。单位是%/Vdc，是指电压每变化1V，电容值变化的百分比。

隔离阻抗（Insulation resistance）

    隔离阻抗，简称IR。是指电容两端的直流电阻值。

ESL（Equivalent Series Inductance）

    等效串联电感是指电容两端等效的电感值。

ESD（HBM stress）

    作为半导体元器件，硅电容是对静电敏感的。ESD是指硅电容两端能够承受的最大静电电压。

频率特性曲线

    频率特性曲线是值，硅电容的等效阻容感模型，两端阻抗随着频率的变化曲线。由于硅电容主要应用在高频场景，在硅电容选型时应尤其关注该曲线。