应用材料技术突破,加速大数据、AI晶片效能

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应用材料公司今日宣布在材料工程上获得技术突破,能在大数据与人工智慧时代(AI)加速晶片效能。应用材料在电晶体接点与局部中段金属导线制程中,以钴金属取代钨与铜,为20年来电晶体接点与导线的重大金属变革,能解除7奈米及以下晶圆制程主要的效能瓶颈,增进15%的晶片效能。

在过去,传统摩尔定律只要微缩一小部分易于整合的材料,同时就能改善晶片的效能、功率、面积、成本(PPAC) 。如今,一些如钨与铜金属的材料在10奈米以下的製程再无法顺利微缩,因其电性在电晶体接点与局部中段金属导线制程上已逼近物理极限,这就成为鳍式电晶体无法发挥完全效能的一大瓶颈。而钴金属正可以消除这项瓶颈,不过也需要在制程系统的策略上进行变革。

运用钴做为新的导电材料,使用于电晶体接点与铜导线上,应用材料公司已结合许多的材料工程步骤-预先清洗、物理气相沉积、原子层沉积以及化学气相沉积-于Endura平台上。再者,应用材料公司也界定出一套整合性的钴组合,客户能运用这项经验证过的整合材料解决方案,在7奈米及以下的制程时,加速产品上市时间,同时增加晶片效能。

应用材料半导体产品事业群资深副总裁帕布.若杰(Prabu Raja)表示,早在五年前,应用材料公司即预料电晶体接点与铜导线将面临技术转折,开始著手其他取代性材料的开发,才能在10奈米或以下走得更久。应用材料公司挟带在化学、物理、工程以及资料科学的专长,为半导体产业开创突破性的整合材料解决方案,因应大数据与AI时代的来临,这些技术转折也会随之增多,公司因能及早与客户进行更深一层的合作开发,进而加速客户的技术蓝图。

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