ST + 英诺赛科：签重大合作！

意法半导体（简称ST）与英诺赛科共同宣布签署了一项氮化镓技术开发与制造协议。双方将充分发挥各自优势，提升氮化镓功率解决方案的竞争力和供应链韧性。根据协议，双方将合作推进氮化镓功率技术的联合开发计划，并在未来几年内共同推动该技术在消费电子、数据中心、汽车、工业电源系统等领域得到广泛应用的光明前景。

意法半导体模拟、功率与分立器件、MEMS与传感器产品部（APMS）总裁Marco Cassis表示：“意法半导体与英诺赛科均为垂直整合器件制造商（IDM），此次合作将最大化发挥IDM这一模式的优势，为全球客户创造价值。一方面，意法半导体将加速氮化镓功率技术部署，进一步完善现有的硅和碳化硅产品组合；另一方面，意法半导体也将通过灵活的制造模式更好地服务于全球客户。”

英诺赛科董事长兼创始人骆薇薇博士表示：“氮化镓技术对实现更小型化、高效率、低功耗、低成本且低二氧化碳排放的电子系统至关重要。英诺赛科率先实现8英寸硅基氮化镓晶圆量产，累计出货超10亿颗氮化镓器件，覆盖多领域市场。我们对于与意法半导体达成战略合作感到非常振奋。此次与意法半导体的战略合作将进一步扩大和加速氮化镓技术普及，双方团队将共同致力于开发下一代氮化镓技术。”