第三代半导体SiC晶圆加工重大革新 | 大族半导体重磅全球首发Di-Sync新型激光隐切技术

碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的杰出代表，凭借其高禁带宽度、高热导率及高击穿场强等特性，已成为功率半导体（如MOSFET）及射频器件的核心材料，广泛应用于新能源汽车、工业电源及5G通信等领域。然而，SiC晶圆的高硬度（莫氏硬度9.2）与化学稳定性使其切割工艺面临巨大挑战，尤其是晶圆切割道上存在金属Test key、SiO₂等钝化层或聚酰亚胺（PI）层时，传统切割方案效率与良率难以兼顾。这一技术瓶颈，正成为SiC材料进一步拓展应用版图的关键掣肘因素。

PART 01

SiC晶圆切割现状

晶圆的切割方案有：刀轮切割、钻石刀切割、激光烧蚀切割、隐形切割等。但面对SiC材料的高硬度和脆性特性，各类晶圆切割方案都存在各自的短板：刀轮切割存在刀具磨损严重、切割效率低下、切割损耗量大等问题；钻石刀切割存在侧壁垂直度差、产品兼容性差等问题；激光烧蚀切割存在加工效率低下、热影响大、存在熔渣等问题；隐形切割存在晶圆背金及表层PI、金属图形等材料切割困难等问题。这些传统的切割方案都难以满足SiC晶圆高质量高效率切割的需求。

目前行业主流的SiC晶圆切割方案为：隐形切割+辅助开槽。该组合方案具有较强的晶圆类型兼容性、工艺效果良好、加工效率较高等优势，但同时也存在设备数量多、工序复杂、设备维护成本高等不足。

PART 02

Di-SyncTM新型激光隐切技术

针对上述现行方案的技术瓶颈，大族半导体凭借深厚的技术积累与创新能力，研发出Di-SyncTM新型激光隐切技术，该新型技术是通过同步完成“内部改质+界面结构直写”的激光加工工艺，实现全类型SiC晶圆的高效切割。

工艺流程

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技术优势

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Di-SyncTM新型激光隐切技术，在切割质量、加工流程、加工设备、设备维护成本等方面实现全方位优化提升。

工艺效果

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 优异的切割效果，无蜿蜒、无崩边；

 PI层、背金层无拉扯；

所有晶粒正常分离，无双晶。

大族半导体自主研发的Di-SyncTM技术，凭借精湛的工艺整合与突破性的设备创新，实现了SiC晶圆切割效率与成本效益的双重飞跃，这一技术革新不仅大幅优化了生产流程，更为下游器件制造提供高可靠性解决方案。Di-SyncTM技术同时还在其他多种衬底材料的半导体晶圆上存在扩展应用能力。展望未来，Di-SyncTM技术将成为引领半导体行业变革的关键力量，为半导体产业的蓬勃发展注入源源不断的强劲动力。