新品分享 | 光电转换与相变存储溅射材料

​核心参数​：

​化学计量比​：Ge:Se=1:1（±0.3%精度，可调范围0.8-1.2，可定制）

​纯度等级​：≥99.99%（4N级，痕量杂质：O＜2ppm，C＜0.5ppm，金属杂质总量＜1ppm）

​晶体结构​：正交晶系（Pnma空间群，层状<010>择优取向，晶粒尺寸10-100nm可控）

​密度​：≥4.5g/cm³（化学气相传输+热压烧结，孔隙率＜0.002%）

​光学带隙​：1.1-1.6eV可调（厚度依赖效应，吸光系数＞10⁵ cm⁻¹）

​相变速度​：晶态非晶态转变＜50ns（循环耐久性＞10⁹次）

​规格尺寸​：Φ130mm×2mm（可定制，支持卷对卷柔性溅射）

​核心优势​：

​超高光电​：量子效率＞85%（400-1100nm宽谱响应）

​自修复特性​：光照诱导缺陷恢复率＞95%（AM1.5G标准光源）

​环境友好​：无铅无镉（符合RoHS 3.0/EPEAT银级认证）

​柔性兼容​：弯折半径＜0.5mm（PET基板溅射无裂纹）

​界面钝化​：与Mo背电极接触电阻＜10⁻⁴ Ω·cm²（无界面复合层）

​适用场景​：

​光伏革命​：叠层太阳能电池光吸收层（理论效率＞33%）

​神经形态​：忆阻器人工突触器件（线性电导调控＞200级）

​红外探测​：短波红外（SWIR）成像传感器（探测率＞10¹² Jones）

​全息存储​：三维光学数据存储介质（存储密度＞1TB/cm³）

​可穿戴​：自供电健康监测柔性电路（能量转换效率＞15%）

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