重磅突破！晶盛机电成功研发12英寸导电型碳化硅晶体

在碳化硅（SiC）产业高速发展的背景下，衬底技术突破与晶圆大尺寸化趋势正深刻改变全球产业格局。

5月12日，晶盛机电集团旗下浙江晶瑞电子材料有限公司（简称"浙江晶瑞SuperSiC"）宣布实现12英寸导电型碳化硅单晶生长技术重大突破，成功制备出直径达309mm的完整晶体。该成果不仅标志着晶盛机电完成6-12英寸全尺寸长晶技术体系的自主可控构建，更为我国碳化硅产业链实现自主化突破奠定关键技术基础。

图片：首颗12英寸导电型碳化硅（SiC）单晶

作为第三代半导体核心材料，碳化硅凭借其宽禁带特性（3.2eV）、高击穿场强（3MV/cm）、高热导率（490W/m·K）等优异物理性能，已成为高压、高温及高频功率器件的战略性基础材料。然而受限于晶体生长过程中存在的温场梯度控制、缺陷抑制等技术瓶颈，全球量产衬底仍以6-8英寸为主。浙江晶瑞SuperSiC依托自主研制的碳化硅单晶生长设备体系，通过持续优化8-12英寸长晶工艺参数，创新开发梯度温场控制技术及气相输运平衡工艺，有效解决了大尺寸晶体生长过程中的热应力集中、气相组分偏析等核心难题，最终实现12英寸超大规格碳化硅单晶制备的突破性进展。

图片：首颗12英寸导电型碳化硅（SiC）单晶

此次技术突破将显著提升单晶衬底的面积利用率，理论上可使单位芯片制造成本降低约70%。这标志着晶盛机电正式进入超大尺寸碳化硅衬底产业化阶段，为我国新能源汽车（EV）、光伏储能系统、智能电网及5G通信设备等战略新兴产业提供了关键材料保障，加速推动碳化硅功率器件在人工智能终端（如AR/VR设备）等前沿领域的规模化应用。

作为晶盛机电化合物半导体材料板块的核心企业，浙江晶瑞SuperSiC已构建涵盖碳化硅单晶生长、晶圆加工到抛光检测的完整技术体系。现阶段公司8英寸碳化硅衬底已实现规模化量产，月产能突破5000片，产品良率达到国际先进水平。

图片： 8英寸碳化硅衬底量产

此次12英寸导电型碳化硅单晶的成功制备，不仅验证了晶盛机电"装备+材料"双轮驱动战略的前瞻性，更标志着我国在第三代半导体关键基础材料领域实现从技术跟随到创新引领的重要跨越。集团将持续深化"先进材料、先进装备"的战略定位，通过构建"自主研发-产业协同-绿色智造"三位一体的创新生态系统，推动我国半导体产业向高附加值环节升级，助力全球半导体产业链格局重构。

编辑 | 弘燊石英大会