Nexperia推出行业领先的D2PAK-7封装车规级1200 V碳化硅MOSFET

基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia（安世半导体）近日宣布推出一系列高效耐用的车规级碳化硅(SiC) MOSFET，其RDS(on)值分别为30、40和60 mΩ。这些器件(NSF030120D7A0-Q/NSF040120D7A1-Q/NSF060120D7A0-Q)拥有行业领先的品质因数(FoM)，此前已推出工业级版本，现正式获得AEC-Q101认证。

这使该系列器件适用于诸多汽车应用场景，例如电动汽车(EV)的车载充电器(OBC)、牵引逆变器，以及DC-DC转换器、暖通空调系统(HVAC)等。这些器件采用愈发流行的D2PAK-7表面贴装封装，相比通孔器件，更适合自动化装配操作。

RDS(on)会影响导通损耗，是SiC MOSFET的关键性能参数。然而，单纯关注标称值，容易忽视一个问题：随着器件工作温度上升，标称值可能会增加100%以上，从而导致相当大的导通损耗。与通孔技术相比，采用SMD封装技术时，温度稳定性显得尤为重要，因为器件需通过PCB散热。

Nexperia认识到这是制约当前众多SiC器件性能的关键因素，凭借创新工艺技术，确保新型SiC MOSFET具备行业领先的温度稳定性，在25℃至175℃的工作温度区间内，RDS(on)标称值仅增加38%。这一特性让客户能够在其应用中实现更高的输出功率，与其他供应商的产品相比，即便使用Nexperia标称值更高的25℃ RDS(on)产品，也无需牺牲性能。

Nexperia高级副总裁兼宽禁带、IGBT和模块(WIM)业务部门总经理Edoardo Merli表示：

“与其他供应商RDS(on)额定值相近的器件相比，Nexperia的SiC MOSFET能够输出更高的功率，在半导体层面为客户带来显著的成本优势。此外，宽松的散热要求、更紧凑的无源元件以及更高的能效，赋予客户更大的设计自由度，降低了总成本。我们尤为欣喜的是，这些产品现已过车规级标准AEC-Q101认证满足汽车市场要求，其出色的性能与高效优势将为下一代汽车设计带来实质性变革。”

Nexperia计划于2025年推出17 mΩ和80 mΩ RDS(on)的车规级SiC MOSFET。