三星12层HBM3E基本通过英伟达认证

据闪德资讯获悉，三星电子初步通过英伟达对其12层HBM3E内存认证，但业内人士表示，这一成就短期内不太可能带来显著收益。

SK海力士由于较早获得认证，已经锁定了大部分订单并控制了供应链。

预计三星将在持续产品改进后，于2025年末通过英伟达的质量要求，但出货量预计仍将受到限制。

三星原计划在2025年6月或7月完成英伟达的HBM3E认证，但由于延迟，预计时间表已推迟到今年下半年。

一位行业消息人士表示，三星已通过单芯片验证，目前正在对其12层HBM3E进行封装测试。

三星正在继续改进其12层HBM3E以满足英伟达的标准。

资格认证过程包括单芯片测试以评估单个DRAM芯片的性能，随后是全栈验证，评估整个多芯片封装的性能。

三星两次通过了其8层HBM3E的单芯片测试，但未能获得完整的产品认证。

由于单芯片验证是要求较低的步骤，三星是否有能力进入英伟达高性能AI内存供应链仍需拭目以待。

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