铠侠计划2029年将NAND闪存产量翻倍

据闪德资讯获悉，日本NAND闪存制造商铠侠正筹备大规模产能扩张，该公司宣布了一项计划，拟在2029财年前将闪存产量翻倍，以满足人工智能等领域日益增长的需求。

这一路线图于2025年6月5日的业务战略说明会上公布，铠侠同时披露了其中期管理计划，公司正着眼于以存储容量为基础扩大产能，目标是将产量较2024年水平提升一倍。

该计划包括对尖端技术和基础设施的重大投资，重点聚焦下一代 NAND 产品。

此举旨在满足高性能存储解决方案日益增长的需求，特别是来自人工智能驱动行业的需求。

铠侠位于岩手县北上市的北日本工厂将成为该公司发展的核心区域。

该基地的第二工厂（代号 K2）计划于2025年9月投产，预计将大幅提升产能，公司正在引入新设备以提高第八代NAND闪存的产量。

除北日本工厂外，铠侠位于三重县四日市的工厂也将在扩张计划中发挥关键作用。

铠侠未来战略的一大亮点是计划于2026年下半年实现新一代存储级内存（SCM)的量产。

存储级内存将超越传统NAND闪存的性能，提供更快的数据读写速度。与AI应用中常用的DRAM芯片相比，存储级内存旨在提供更大的存储容量，成为AI驱动行业的关键赋能技术。

目前存储级内存技术正在接受AI芯片制造商的评估，铠侠目标是在通过评估后迅速进入量产阶段。

闪德资讯，一个聚焦关注存储产业供应链和趋势变化的垂直媒体。