魔幻的2025内存市场

全球内存市场正经历一场魔幻的变革。根据Yole Group发布的市场与技术分析报告：《Status of the Memory Industry 2025》显示，在AI工作负载激增和行业战略性转向HBM（高带宽内存）的背景下，全球内存市场强势复苏。不过，全球贸易紧张局势始终如阴云笼罩，给供应链稳定带来潜在威胁。

HBM市场竞争日益激烈

2022-2023年，内存产业深陷历史性低谷，行业一片萧瑟。然而，2024年却迎来戏剧性转折，强势反弹，全年营收飙升至1700亿美元，创下历史新高。这一逆袭背后，数据中心对AI训练的需求爆发式增长是核心推力，HBM凭借高溢价与高性能的独特优势，成为扭转局势的关键。

尤其是HBM，在快速演变的市场环境中，持续跑赢整个DRAM板块。2025年，HBM的营收预计将接近翻倍，达到约340亿美元，主要受限产环境和来自AI及高性能计算（HPC）平台的战略性需求推动。Yole Group预测，HBM市场将在2030年前保持33%的年复合增长率，届时其营收将超过DRAM市场总营收的50%。

2025年，HBM市场竞争日益激烈，成为巨头们激烈角逐的战场。Yole Group分析师指出，SK海力士凭借与英伟达的深度战略合作，以约54%的市场份额，在HBM收入和出货量上占据绝对领先地位；三星不甘落后，全力加速HBM3E与英伟达产品的兼容验证工作，试图缩小差距，夺回市场份额；美光（Micron）则迅速扩产HBM3E，并专门设立云内存业务部门，为未来增长提前布局。

与此同时，中国本土内存厂商在这场全球竞争中强势崛起，成为不可忽视的重要力量，他们正积极扩展本土内存制造能力。长鑫存储（CXMT）近年来持续加大研发投入，构建起完整的DRAM产业链。2024年，其凭借自主研发的低成本DDR3/DDR4产品，凭借出色的性价比优势，迅速占领市场份额，有力冲击了DRAM市场原有格局，迫使国际巨头加快向DDR5和HBM的转型步伐。到2024年底，金百达（KingBank）与光威（Gloway）携手，基于长鑫存储CXMT G4 DRAM，成功推出中国首批DDR5内存模块。

此外，长江存储（YMTC）同样成绩斐然。其发布的第五代3D NAND芯片，采用创新的Xtacking 4.0架构，实现了业界领先的294层堆叠，在存储密度、读写速度和可靠性等方面达到国际先进水平。

面对外部出口管制压力，这些本土企业不仅没有退缩，反而加大对HBM技术的研发投入，组建专业研发团队，与高校、科研机构开展产学研合作，积极探索新的技术路径和解决方案。

相较之下，NAND市场复苏较慢，市场仍在调整。

DDR4价格一涨再涨，两倍于DDR5

另据分析机构Trendforce近日的研报称，DRAM市场出现罕见的价格倒挂现象。受南亚科技近期停止报价DDR4现货的影响，DDR4 16Gb芯片价格一路飙升，达到DDR5价格的两倍。TrendForce预测，第二季度PC DDR4的合同价格将比上一季度上涨13%-18%，高于之前的3%-8%的预期；服务器DDR4价格涨幅更甚，预计将达到18%-23%。

这一价格异动背后，是国际内存厂商的战略调整。三星逐步停产1y和1z制程8Gb DDR4，美光明确通知客户停止生产服务器用DDR4内存模块，SK海力士也计划将DDR4产量占比降至20%。多方因素叠加，导致DDR4现货市场供不应求，价格持续走高，且TrendForce预计第三季度DDR4合同价格还将继续上涨。

2025内存市场预测

据Yole Group分析师预测，2025年将成为内存行业连续第二年创下收入新高，整体市场规模预计将超过1900亿美元，其中DRAM和NAND分别贡献约1290亿和650亿美元。同时，NOR Flash市场也呈现积极走势，延续了自2024年启动的复苏趋势。

然而，2025年4月，美国对贸易顺差国家加征全面关税，中国成为主要目标，全球贸易紧张局势再度升级。虽然短期内实行了90天的临时缓冲措施带来一定缓解，但整体形势依然充满不确定性。

2025年将成为内存行业的关键转折点。在这场变革中，AI依然是驱动市场增长的核心引擎，推动着内存技术不断创新升级；供应链的重组与技术路线的战略转变，正在重塑全球内存产业的竞争格局。中国本土内存厂商的崛起，不仅为行业注入新的活力，也在国际竞争中赢得一席之地。但同时，贸易摩擦、技术封锁等挑战依然存在，内存行业的未来既充满机遇，也布满荆棘，唯有持续创新、积极变革，才能在这场魔幻的市场竞争中站稳脚跟，赢得未来。