梁骏吾,中国科学院半导体研究所研究员,中国工程院院士,我国著名半导体材料学家。
梁骏吾带领团队白手起家,于1963年首次拉制出媲美国际顶尖水平的高纯区熔硅单晶。上世纪70年代,他揭示“漩涡缺陷”形成机制,大幅提升硅单晶质量,助力我国大规模集成电路16K存储器的突破。80年代,他再次创新,研发出兼具高机械性能和均匀电阻率的新型硅单晶,赢得国际声誉。数十年来,他为我国硅材料工艺和加工设备的发展作出突破性贡献,被誉为“硅材料大侠”。
梁骏吾常说:“科学家要像硅单晶一样纯净”。他淡泊名利,断然拒绝外企“天价”购买研究数据的诱惑,直言“我不能为一己私利损害国家”;他严于律己,从不利用身份为子女谋私利,告诫子女“你要靠你自己的本事”;他生活俭朴,一块表戴了一辈子,满是补丁的衣服也不舍得丢弃,但面对汶川地震和山区学校困境,他却第一时间慷慨解囊。
梁骏吾的一生,如硅单晶般纯粹、坚韧,他的开拓精神与崇高品格,已化作照亮前路的星光,指引后来人向更高科技高峰奋勇登攀。
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