奥松电子等申请阵列化柔性触觉传感器封装层微纳制造方法及装置专利，能有效阻挡外界杂质和干扰

文章来源：企鹅号 - 金融界视点

国家知识产权局信息显示，广州奥松电子股份有限公司;华中科技大学申请一项名为“阵列化柔性触觉传感器封装层微纳制造方法及装置”的专利，公开号CN120593813A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本发明公开了一种阵列化柔性触觉传感器封装层微纳制造方法及装置，所述方法包括：获取封装层的性能需求，根据所述性能需求选取所述封装层的封装材料；基于所述封装材料形成封装基底，对所述封装基底进行涂覆形成预封装层，在所述预封装层上构建纳米孔隙结构；对所述纳米孔隙结构进行固化，利用微纳米精密对准装置将固化后的所述纳米孔隙结构对准阵列化柔性触觉传感器的感知单元，记录对准位置，根据所述对准位置将所述封装层固定在所述阵列化柔性触觉传感器上。本发明通过制备具有纳米孔隙结构的封装层，既能有效阻挡外界杂质和干扰，又能保证传感器与外界环境之间的气体和热量交换，维持传感器的正常工作性能。