中电化合物半导体申请碳化硅籽晶粘接及单晶制备方法专利，降低晶体的缺陷密度

国家知识产权局信息显示，中电化合物半导体有限公司申请一项名为“一种碳化硅籽晶的粘接方法和碳化硅单晶的制备方法”的专利，公开号CN120591893A，申请日期为2025年07月。

专利摘要显示，本发明提供一种碳化硅籽晶的粘接方法碳化硅单晶的制备方法，涉及晶体生长技术领域。碳化硅籽晶的粘接方法包括如下步骤：提供网状结构，将粘结剂和添加剂均匀涂敷于所述网状结构上，形成粘结层；将所述粘结层固定粘接至籽晶托盘上，将籽晶粘接至所述粘结层背离所述籽晶托盘的一侧；对所述籽晶均匀施压并进行梯度升温，保温结束完成对所述籽晶的粘接。本发明的碳化硅籽晶的粘接方法，以三维网状结构作为骨架，不仅可以对粘结剂及添加剂的流动分散起到制约作用，提高粘结剂和添加剂的均匀性，避免由于分散不均带来的局部烧蚀、背向蒸发现象；网状结构还可以对粘结剂碳化过程起到缓冲作用，降低热适配带来的应力集中，从而降低晶体的缺陷密度。

天眼查资料显示，中电化合物半导体有限公司，成立于2019年，位于宁波市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本53423.3332万人民币。通过天眼查大数据分析，中电化合物半导体有限公司参与招投标项目448次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息115条，此外企业还拥有行政许可14个。

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来源：市场资讯