拓荆科技申请半导体反应腔体压力控制方法及计算机可读存储介质专利，计算每一路气体通气结束后的压力初始值

国家知识产权局信息显示，拓荆科技股份有限公司申请一项名为“半导体反应腔体压力控制方法及计算机可读存储介质”的专利，公开号CN120595879A，申请日期为2025年06月。

专利摘要显示，本发明公开了半导体反应腔体压力控制方法及计算机可读存储介质。所述方法包括：按时间先后分别开启每一路气体对应的质量流量控制器；在每一路气体所对应的质量流量控制器的末端管路处检测所述质量流量控制器的真实的开启时间以及所述末端管路处对应所述开启时间的开启压力；根据每一路气体对应的所述开启时间和所述开启压力以及每一路气体所对应的传递函数计算每一路气体通气结束后的压力初始值；累加每一路气体的所述压力初始值，得到进入腔体的总压力初始值。

天眼查资料显示，拓荆科技股份有限公司，成立于2010年，位于沈阳市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本27972.9118万人民币。通过天眼查大数据分析，拓荆科技股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目99次，财产线索方面有商标信息93条，专利信息703条，此外企业还拥有行政许可32个。

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来源：市场资讯