鸿扬半导体申请微机电系统结构及其制造方法专利，可避免微沟槽效应

文章来源：企鹅号 - 金融界视点

国家知识产权局信息显示，鸿扬半导体股份有限公司申请一项名为“微机电系统结构及其制造方法”的专利，公开号CN120589673A，申请日期为2024年03月。

专利摘要显示，本揭露提供一种微机电系统结构，其包括基板、氧化层、线路层以及图案化感测层。氧化层设置于基板上。线路层设置于氧化层上方。图案化感测层设置于线路层，其中图案化感测层图案化感测层包括第一部分和第二部分，第一部分位于第二部分上，且第二部分的图案不同于第一部分的图案。