南亚科技申请半导体装置及其形成方法专利，可避免掺杂剂的扩散

文章来源：企鹅号 - 金融界视点

国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体装置及其形成方法”的专利，公开号CN120600732A，申请日期为2024年05月。

专利摘要显示，本揭示内容提供一种半导体装置。半导体装置包括基板、电子保险丝及开关晶体管。电子保险丝在基板上。开关晶体管在基板上及电子保险丝旁边。电子保险丝下方的基板的第一掺杂区域具有第一导电类型，开关晶体管下方的基板的第二掺杂区域具有第二导电类型，以及第一导电类型与第二导电类型是相同的。基板的第一掺杂区域设置在基板的多个第三掺杂区域之间，以及第三掺杂区域的多个第三导电类型与第一导电类型是不同的。半导体装置避免了掺杂剂的扩散，以避免污染电子保险丝及开关晶体管下方的掺杂区域。此外，半导体装置的尺寸可以缩小，也不会有掺杂剂污染电子保险丝及开关晶体管下方的掺杂区域。