南昌大学等申请一种GaN自发光透镜Micro-LED及其制备方法专利，提高光子逃逸概率

文章来源：企鹅号 - 金融界视点

国家知识产权局信息显示，南昌大学、南昌实验室、南昌硅基半导体科技有限公司申请一项名为“一种GaN自发光透镜Micro-LED及其制备方法”的专利，公开号CN120603420A，申请日期为2025年08月。

专利摘要显示，本发明提供一种GaN自发光透镜Micro‑LED及其制备方法，通过将自发光半导体层的结构设置成有聚光效果的微透镜或类微透镜结构，且自发光半导体层整体被半导体钝化层包覆，半导体钝化层上对应于N型半导体层的位置处开设有钝化层通孔，半导体钝化层的表面沉积有电流扩展层，电流扩展层通过钝化层通孔与N型半导体层接触，具体的，将发光的有源层整体纳入微透镜中，形成材料‑光电‑光学三功能同质集成，在提高光子逃逸概率的同时，彻底消除了异质界面导致的热失配问题。