华羿微电子申请超低栅极电荷屏蔽栅MOSFET器件制备方法及器件专利，实现器件动态参数降低

国家知识产权局信息显示，华羿微电子股份有限公司申请一项名为“一种超低栅极电荷屏蔽栅MOSFET器件的制备方法及器件”的专利，公开号CN120603270A，申请日期为2025年08月。

专利摘要显示，本发明公开了一种超低栅极电荷屏蔽栅MOSFET器件的制备方法及器件，在待刻蚀的晶圆表面沉积一层氧化物，再覆盖光刻胶，将氧化物刻蚀到晶圆表面；将晶圆表面的氧化物刻蚀掉，在晶圆的沟槽内部和表面生长出一层氧化层，得到作为隔离层的氧化物薄膜；在沟槽内部和表面沉积第一厚度的氧化物，将氧化物研磨到距晶圆表面第二厚度处；通过再一次热氧化工艺在多晶硅的顶部生长一层氧化物，使顶部的多晶硅间氧化物的厚度达到第一目标厚度；将位于沟槽侧壁的氮化硅和氧化物全部刻蚀掉，然后进行栅极氧化物的生长，直至栅极氧化物的厚度达到第二目标厚度。

天眼查资料显示，华羿微电子股份有限公司，成立于2017年，位于西安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本41509.5832万人民币。通过天眼查大数据分析，华羿微电子股份有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目28次，财产线索方面有商标信息18条，专利信息214条，此外企业还拥有行政许可30个。

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来源：市场资讯