南昌大学等申请原位化合物同质透镜Micro-LED器件及制备方法专利，显著减少表面光散射损失

文章来源：企鹅号 - 金融界视点

国家知识产权局信息显示，南昌大学、南昌实验室、南昌硅基半导体科技有限公司申请一项名为“原位化合物同质透镜Micro-LED器件及制备方法”的专利，公开号CN120603421A，申请日期为2025年08月。

专利摘要显示，本发明公开了一种原位化合物同质透镜Micro‑LED器件及制备方法，涉及半导体器件技术领域，通过材料自然生长制备出原位化合物同质透镜，其生长表面天然形成低粗糙度纹理，能够显著减少表面光散射损失；并且通过调节原位化合物同质透镜的生长参数，能够原位形成理想光学曲面，实现对出光方向的精准调控；以及整个光路完全在单一化合物半导体材料的内部传播，不存在半导体材料到其它透镜材料的界面，彻底消除了因折射率失配造成的界面全反射损失；因此，本发明的原位化合物同质透镜通过直接生长，无需额外掩模、刻蚀或抛光步骤，大幅简化了工艺工艺并降低成本，且同一批次内原位化合物同质透镜的形貌和特性特性高度一致，适合晶圆级批量生产。