浙江创芯集成电路申请炉管设备及掺杂多晶硅制备方法专利，减少炉管设备内壁残留层对后续工艺的影响

国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“一种炉管设备以及掺杂多晶硅的制备方法”的专利，公开号 CN120591886A，申请日期为 2025 年 06 月。

专利摘要显示，本申请实施例提供了一种炉管设备以及掺杂多晶硅的制备方法，所述炉管设备用于扩散掺杂工艺，包括：炉体，所述炉体内设置有腔体结构，用于放置待处理晶圆，所述腔体结构的内壁沉积有使用扩散掺杂工艺形成掺杂多晶硅所残留的至少一个残留层，所述扩散掺杂工艺通过向所述腔体结构内通入反应气体，在待处理晶圆的表面分解并沉积形成掺杂多晶硅；至少一个阻挡层，所述阻挡层覆盖所述残留层，所述阻挡层为所述残留层的表面形成的未掺杂多晶硅层。

天眼查资料显示，浙江创芯集成电路有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本182000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江创芯集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目257次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息393条，此外企业还拥有行政许可7个。

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来源：市场资讯