华虹半导体申请降低高密度深沟槽电容应力设计方法及结构专利，有效分散和降低沟槽应力

国家知识产权局信息显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“降低高密度深沟槽电容应力的设计方法及结构”的专利，公开号 CN120603258A，申请日期为 2025 年 05 月。

专利摘要显示，本申请公开了一种降低高密度深沟槽电容应力的设计方法及深沟槽电容结构。该方法包括：在沟槽阵列的预定位置，将至少一个第一沟槽设计为断开结构；通过该断开结构，在第一沟槽原始位置形成至少两个第二沟槽及两者间的间隙，间隙用于应力释放。可选地，在间隙内设计接触件。本申请通过将长沟槽分段并形成应力释放间隙，有效分散和降低沟槽应力，减少沟槽形变，提高器件可靠性。在间隙处增加接触件还可降低寄生参数，改善电学性能。该设计方法及结构适用于高密度深沟槽电容的制造。

天眼查资料显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目375次，专利信息83条，此外企业还拥有行政许可227个。

上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目921次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。

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来源：市场资讯