华虹宏力申请半导体器件的形成方法专利，提高半导体器件的质量

国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“半导体器件的形成方法”的专利，公开号 CN120603243A，申请日期为 2025 年 05 月。

专利摘要显示，本发明提供了一种半导体器件的形成方法，包括：使用分栅存储器的版图将第一衬底分为临接设置的器件区和逻辑区；在衬底的表面均依次形成氧化层和多晶硅层；在多晶硅层表面形成图案化的光刻胶层，图案化的光刻胶层遮住逻辑区的光刻胶层；刻蚀器件区的多晶硅层并获取多晶硅层的刻蚀速率；使用分栅存储器的版图将第二衬底分为临接设置的器件区和逻辑区；在器件区的衬底的表面形成栅结构；在衬底的表面和栅结构的表面形成字线材料层；利用多晶硅层的刻蚀速率刻蚀字线材料层，以形成字线侧墙。本发明准确地测试出了多晶硅的刻蚀速率，从而形成了高度达标的字线侧墙，也减少了多晶硅的残留，从而提高了半导体器件的质量。

天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目921次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。

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来源：市场资讯